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光辅助腐蚀gan、腐蚀汉化辅助模式下载

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光辅助腐蚀GAN

由于GaN的固有特性,其表面往往覆盖着氧化铝层,这个厚度大约为1至2 nm。这个衬底引入缺陷仅有约1%,因为高质量的衬底可以通过有机金属化学气相沉积法(MOCVD)来制造。然而,这些氧化铝层可以限制它们的性能。所以,在制造高质量的晶体管和电子器件时,清除氧化铝是非常重要的。

光辅助腐蚀

光辅助腐蚀是一种标准的刻蚀方法,即使用液体溶液来溶解或蚀刻衬底表面的薄膜。通过可见和近红外激光的辅助,它可以分离出物质,从而在实现高精度的刻蚀中大大提高成品率。在半导体领域中,为了制造高质量的晶体管和电子器件,这种方法已经得到广泛应用。

光辅助腐蚀GAN

将光辅助腐蚀方法应用于Ga N上的固态薄膜表面,可清除Ga N的氧化铝表面,并提供全面的Ga N表面。可见光和近红外激光被使用来清除表面氧化铝,在不伤害GaN晶体的情况下,使其表面保持非极性。使用光辅助腐蚀,表面粗糙度降低并追踪到与GaN相同的水平。此外,这种方法具有具有显著的选择性,超过100:1。